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吉致電子拋光材料 源頭廠(chǎng)家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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拋光速率高具有良好的切削力,提高拋光效率
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拋光效果好分散性好、乳液均一,提高拋光精度
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安全環(huán)保不含任何硫、磷、氯添加劑,性能穩(wěn)定
對(duì)環(huán)境無(wú)污染
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適用范圍廣金屬、光電、半導(dǎo)體、硬盤(pán)、顯示器、
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拋光速率高切削力快,10分鐘拋光到位
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拋光效果好無(wú)桔皮、無(wú)麻點(diǎn)、無(wú)殘留刀痕
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使用壽命長(zhǎng)相當(dāng)于國(guó)產(chǎn)拋光墊壽命的1.5倍
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適用范圍廣廣泛適用于金屬、光電、半導(dǎo)體、硬盤(pán)、顯示器、
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行業(yè)應(yīng)用案例 / Industry Case

吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光

吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光

不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術(shù):電解拋光、化學(xué)拋光和機(jī)械拋光?!?/p> 查看詳情

氧化鋁陶瓷拋光液鏡面拋光

氧化鋁陶瓷拋光液鏡面拋光

  氧化鋁陶瓷片的表面拋光具有一定難度,原因有兩個(gè),一是氧化鋁材質(zhì)硬度較高,難…

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智能手表不銹鋼后蓋拋光

智能手表不銹鋼后蓋拋光

智能手表后蓋不銹鋼拋光,需要用到CMP工藝的粗拋和精拋。搭配吉致電子拋光液和拋光墊使…

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碳化硅SiC拋光工藝

碳化硅SiC拋光工藝

  根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同,CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)…

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客戶(hù)感言/ Testimonials

DPC研磨液----陶瓷覆銅板研磨液拋磨效果

DPC研磨液----陶瓷覆銅板研磨液拋磨效果

我司是做陶瓷覆銅板的,做的是DPC工藝。板材對(duì)粗糙度和平面度有嚴(yán)格要求,搭配吉致電子生產(chǎn)的研磨墊、研磨液拋光液效果很好,可以達(dá)到我司要求,為了回饋貴司免費(fèi)提供我司拋光液樣品,我分享兩張…

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解決拋光難題-----吉致電子陶瓷基板拋光液

解決拋光難題-----吉致電子陶瓷基板拋光液

  陶瓷基板廠(chǎng)家陳總感言:  ——我們是做氧化鋁、氮化鋁、氮化硅陶瓷基板的廠(chǎng)家,這些陶瓷板的硬度都是比較高的,我們對(duì)板子的RA表面粗糙度有要求,試過(guò)好多種拋光工藝,最…

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半導(dǎo)體拋光液國(guó)產(chǎn)平替----射頻濾波器拋光液

半導(dǎo)體拋光液國(guó)產(chǎn)平替----射頻濾波器拋光液

  我們是廣東一家半導(dǎo)體廠(chǎng)商,主要是做射頻濾波器件的,制程其中有一道CMP工藝要用到拋光液等耗材。  近幾年隨著國(guó)家半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展,很多物料遭受?chē)?guó)外卡脖子限制,就算能買(mǎi)回來(lái)不僅…

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走進(jìn)吉致 / ABOUT US

吉致——我國(guó)化學(xué)機(jī)械拋光耗材優(yōu)良企業(yè)!

吉致電子科技有限公司創(chuàng)始于1997年,現(xiàn)已經(jīng)有19年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn),專(zhuān)注于研發(fā)化學(xué)機(jī)械拋光耗材的領(lǐng)域,吉致主要研發(fā)兩大類(lèi)產(chǎn)品有“拋光墊”“拋光液”。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬,光電,半導(dǎo)體,陶瓷,硬盤(pán)面板顯示器等需要精密研磨拋光的行業(yè),廣泛用于平面拋光領(lǐng)域。現(xiàn)已跟...

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常見(jiàn)問(wèn)題解答 /FAQ's

CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類(lèi)有哪些
  半導(dǎo)體拋光液種類(lèi)有哪些?CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光,半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層(Oxide CMP)...
CMP拋光墊的種類(lèi)及特點(diǎn)
Cmp拋光墊種類(lèi)可按材質(zhì)結(jié)構(gòu)主要有:聚合物拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無(wú)紡布拋光墊、復(fù)合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分...
吉致電子CMP拋光墊的作用
CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下,工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行...
SiC碳化硅襯底加工的主要步驟
SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟:晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線(xiàn)切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向:使用 X...
芯片制造為什么使用單晶硅做襯底
芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因?yàn)閱尉Ч杵哂幸韵聝?yōu)點(diǎn):?jiǎn)尉Ч杵前雽?dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)材料,應(yīng)用廣泛。計(jì)算機(jī)芯片、智能手...
吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性
  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,氮化鎵被廣泛應(yīng)用于 LED...
吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區(qū)別
  在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,襯底和晶圓是兩個(gè)常見(jiàn)的術(shù)語(yǔ)。它們扮演著重要的角色,但在定義、結(jié)構(gòu)和用途上存在一些差異和區(qū)別。  ...
吉致電子--單晶硅與多晶硅的區(qū)別
吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡(jiǎn)單談?wù)剢尉Ч韬投嗑Ч璧膮^(qū)別: 單晶硅和多...