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3D先進(jìn)封裝TSV CMP CU Slurry 銅化學(xué)機械拋光液
磨料類型:半導(dǎo)體cmp拋光液slurry
磨料粒徑:專利化學(xué)配方/可定制
TSV(硅通孔)Cu銅CMP拋光液·參數(shù)吉致電子,TSV CU Slurry 可定制·速率高·效果好·專利配方CUSTOMIZABLE, HIGH SPEED, GOOD EFFECT AND PATENTED FORMULA
產(chǎn)品名稱:3D先進(jìn)封裝TSV CMP CU Slurry/TSV銅化學(xué)機械拋光液/半導(dǎo)體cmp拋光液slurry
TSV硅通孔的作用: 提高集成度、降低功耗系統(tǒng)地集成數(shù)字電路、模擬電路。通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連,用于3D封裝TSV阻擋層化學(xué)機械拋光液。
Front-side TSV Cu slurry----核心任務(wù):快速去除Cu RRCu超快!
Removal Rate:
吉致電子JZ-1238與競品AXXX 相當(dāng),2.2psi時為競品的 99.2%;加入 H2O2 24hRR 仍很穩(wěn)定,為原來的 96%。
吉致電子JZ-1238 的表面粗度 Ra 與競品相當(dāng),批次測試結(jié)果的穩(wěn)定性也較好!
吉致電子TSV Cu Slurry RR選擇比:
JZ-1238在1.0和.5psi時對于Cu和Tin,Ti,TEOS的RR與AXXX均相當(dāng),速率選擇比比AXXX稍高;對TaRR為
1.0psi時AXXX的速率選擇比: Cu:TiN=7.83:1,Cu:Ti=85.13:1, Cu:TEOS=119.03:1
JZ-1238的速率選擇比: Cu:TiN=8.22:1, Cu:Ti=140.90:1,Cu:TEOS=133.39:1
0.5psi時AXXX的速率選擇比: Cu:TiN=5.54:1,Cu:Ti=68.51:1,Cu:TEOS=48.21:1
JZ-1238的速率選擇比: Cu:TiN=6.01:1, Cu:Ti=98.81:1,Cu:TEOS=111.56:1
吉致電子JEEZ用于3D封裝TSV化學(xué)機械拋光液:
可定制選擇穩(wěn)定的選擇比,去除速率,對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點。Cu拋光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層Slurry,TSV晶背銅/介質(zhì)層拋Slurry、TSV晶背硅Slurry、TSV晶背硅/銅Slurry等。具有高去除速率、選擇比可調(diào)等優(yōu)點。以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等。
吉致電子研發(fā)團隊--15年經(jīng)驗CMP拋光液配方工程師,為您攻克拋光難題!
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