吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

CMP拋光液：從第一代到第三代半導(dǎo)體材料的精密拋光利器

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，化學(xué)機械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導(dǎo)體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、抗輻射能力強、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能

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精密制造新標(biāo)桿：吉致電子藍(lán)寶石研磨液技術(shù)解析

藍(lán)寶石研磨液Sapphire Slurry，也稱為藍(lán)寶石拋光液，是專為藍(lán)寶石材料精密加工而設(shè)計的高性能拋光液。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、光學(xué)窗口、藍(lán)寶石晶圓（Wafer）的減薄和拋光工藝，能夠滿足高平坦度、高表面質(zhì)量的加工需求。吉致電子藍(lán)寶石拋光液由高純度磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)精心配制而成，具有以下顯著優(yōu)勢：1.高穩(wěn)定性：懸浮體系穩(wěn)定，不易沉降或結(jié)晶，確保拋光過程的一致性；2.高效拋光：拋光速度快，顯著提升加工效率；3.精密加工：采用納米SiO2粒子作為磨料，可在高效研磨的同時避免對工件表面造成物理損傷

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吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應(yīng)用解析

氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導(dǎo)體制造、金屬加工及精密光學(xué)元件等領(lǐng)域設(shè)計的高性能化學(xué)機械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應(yīng)，精準(zhǔn)去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術(shù)貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關(guān)鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準(zhǔn)表面處理通過化學(xué)腐蝕與機械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不

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吉致電子解析：磷化銦襯底怎么拋光研磨

磷化銦（InP）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的典型代表，憑借其高電子遷移率、寬禁帶寬度和良好的光電性能，在光通信器件、激光器和探測器等領(lǐng)域占據(jù)關(guān)鍵地位。其精密加工要求嚴(yán)苛，尤其是表面粗糙度需達到納米級（Ra < 0.1nm），傳統(tǒng)機械研磨易導(dǎo)致晶格損傷，化學(xué)機械拋光（CMP）技術(shù)則成為實現(xiàn)原子級平整表面的核心工藝。吉致電子將系統(tǒng)介紹InP磷化銦襯底CMP拋光從粗磨到精拋的流程及控制要點。一、Inp磷化銦拋光準(zhǔn)備工作材料：準(zhǔn)備好磷化銦工件，確保其表面無明顯損傷、雜質(zhì)。同時準(zhǔn)備吉致電子CMP研磨墊，如聚氨酯拋光墊，其

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吉致電子：氧化鈰拋光液在CMP應(yīng)用中的3個特性

在精密制造領(lǐng)域，化學(xué)機械拋光（CMP）工藝的重要性不言而喻，而高品質(zhì)拋光液是其關(guān)鍵。納米氧化鈰（CeO2）因其特性，氧化鈰拋光液在半導(dǎo)體領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、晶圓硅片藍(lán)寶石襯底材料中的多元應(yīng)用，賦能多領(lǐng)域發(fā)展助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級。吉致電子作為CMP工藝耗材廠家，研發(fā)生產(chǎn)的氧化鈰拋光液選用氧化鈰微粉與高純納米氧化鈰作磨料，粒徑可按客戶需求定制。氧化鈰純度高，切削力強，能高效去除材料表面瑕疵。乳液分散均勻，長期儲存不易沉淀，確保拋光性能穩(wěn)定，為精密作業(yè)筑牢根基。氧化鈰拋光液在CMP工藝中的優(yōu)良性能主要體現(xiàn)在三個方面：①高硬度與

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吉致電子科普時間：半導(dǎo)體制造中晶圓和襯底的不同應(yīng)用場景

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，襯底和晶圓因自身特性不同，有著截然不同的應(yīng)用場景。襯底作為半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)支撐材料，主要應(yīng)用于早期工藝環(huán)節(jié)。在集成電路制造中，它是后續(xù)外延生長、薄膜沉積等工藝的起始平臺。比如在生產(chǎn)硅基半導(dǎo)體時，硅襯底為生長高質(zhì)量的外延層提供穩(wěn)定基底，保證外延層的晶體結(jié)構(gòu)與襯底晶格匹配，從而為晶體管、二極管等器件的構(gòu)建奠定基礎(chǔ)。在光電器件制造方面，如發(fā)光二極管（LED），藍(lán)寶石襯底常被使用，它為 LED 芯片的生長提供了合適的晶格結(jié)構(gòu)，有助于實現(xiàn)高效的光電轉(zhuǎn)換。此外，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅襯底因其優(yōu)良的熱導(dǎo)率和電

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半導(dǎo)體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料

半導(dǎo)體銅化學(xué)機械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體制造過程中銅互連層化學(xué)機械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的結(jié)合，實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

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硬盤玻璃的表面拋光主要用什么工藝？

    硬盤玻璃（也稱為硬盤盤片基板或玻璃基板）是一種用于制造硬盤驅(qū)動器（HDD）盤片的特殊玻璃材料。它是硬盤盤片的基礎(chǔ)材料，用于存儲數(shù)據(jù)。硬盤玻璃通常采用特殊的鋁硅酸鹽玻璃或化學(xué)強化玻璃，具有硬度高、輕量化、低熱膨脹系數(shù)、高表面光潔度的特點。硬盤玻璃的表面拋光是其制造過程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，因為硬盤盤片需要極高的表面平整度和光潔度，以確保數(shù)據(jù)存儲和讀寫的精確性。硬盤玻璃的表面拋光主要采用CMP化學(xué)機械拋光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb

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突破技術(shù)壁壘：國產(chǎn)拋光墊替代Suba800的崛起之路

國產(chǎn)替代Suba800拋光墊（CMP Pad）的產(chǎn)品在近年來取得了顯著的技術(shù)進步，逐漸在半導(dǎo)體集成電路市場上占據(jù)一席之地。以下是Suba拋光墊國產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢和特點：一、Suba拋光墊國產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢1.成本優(yōu)勢?國產(chǎn)CMP拋光墊的價格通常比進口產(chǎn)品低，能夠顯著降低生產(chǎn)成本，尤其適合對成本敏感的企業(yè)。?減少了進口關(guān)稅和物流費用，進一步降低了采購成本。2.供應(yīng)鏈穩(wěn)定?國產(chǎn)化生產(chǎn)避免了國際供應(yīng)鏈的不確定性（如貿(mào)易摩擦、物流延遲等），供貨周期更短，響應(yīng)速度更快。?國內(nèi)廠商通常能提供更靈活的CMP拋光耗材訂單服務(wù)，支持

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CMP拋光液:精密光學(xué)鏡頭制造的幕后英雄

CMP（化學(xué)機械拋光）技術(shù)在光學(xué)制造領(lǐng)域確實扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在高精度光學(xué)元件的加工中。CMP拋光液通過化學(xué)腐蝕和機械研磨的結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴(yán)苛要求。 吉致電子光學(xué)玻璃CMP Slurry的應(yīng)用領(lǐng)域：①精密光學(xué)鏡頭：在手機攝像頭、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等光學(xué)系統(tǒng)中，通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學(xué)鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學(xué)窗口：航空航天光學(xué)窗口面臨復(fù)雜空間環(huán)

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鈮酸鋰/鉭酸鋰晶體拋光液成分及特點

鈮酸鋰（LiNbO?）和鉭酸鋰（LiTaO?）襯底的CMP（化學(xué)機械拋光）拋光液是一種專門設(shè)計用于實現(xiàn)高效材料去除和表面平整化的化學(xué)機械混合物。其組成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化鋁（Al?O?）納米顆粒。磨料粒徑通常在20-200 nm之間，以實現(xiàn)高效的材料去除和表面光滑。氧化劑：用于氧化襯底表面，使其更容易被磨料去除。常見的氧化劑包括過氧化氫（H?O?）、硝酸（HNO?）或高錳酸鉀（KMnO?）。pH調(diào)節(jié)劑：拋光液的pH值通常控制在9-11之間，以優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)和

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磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關(guān)聯(lián)

磷化銦襯底拋光液與化學(xué)機械平面研磨工藝（CMP）的關(guān)聯(lián)磷化銦（InP）作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能，在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實現(xiàn)高性能器件的關(guān)鍵，其中化學(xué)機械平面研磨工藝（CMP）扮演著至關(guān)重要的角色。一、 磷化銦襯底為什么使用CMP技術(shù)CMP是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機械研磨的表面平坦化技術(shù)，通過拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層易于去除的軟化層，再借助拋光墊Pad的機械作用將其去除，從而實

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無蠟吸附墊：精密制造的卓越之選

無蠟吸附墊的設(shè)計充分考慮了不同行業(yè)、不同工藝的實際需求，具有高度的通用性和靈活性。提高吸附穩(wěn)定性，還能起到良好的排屑作用，防止加工過程中產(chǎn)生的碎屑堆積在吸附墊表面，影響加工精度和吸附效果。 以下是吉致電子無蠟吸附墊的介紹：組合式無蠟拋光吸附墊 結(jié)構(gòu)：包括基布、吸附結(jié)構(gòu)和粘貼結(jié)構(gòu)。吸附結(jié)構(gòu)由聚氨酯吸附層和環(huán)形氣腔組成，聚氨酯吸附層粘貼在基布上，環(huán)形氣腔設(shè)置在聚氨酯吸附層上，起到吸附固定且揭開時減少吸附力的作用；粘貼結(jié)構(gòu)包括無殘留雙面膠和離型紙，無殘留雙面膠粘貼在基布上，離型紙粘貼在無殘留雙面膠上 。 優(yōu)點：

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影響碳化硅襯底質(zhì)量的重要工藝參數(shù)有哪些

碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當(dāng)增加壓力可以提高拋光效率，但過高的壓力可能導(dǎo)致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設(shè)備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導(dǎo)致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。拋光時間：由襯底需要去除

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吉致電子給您拜年啦！

親愛的吉致電子合作伙伴：您好！2025年的春節(jié)鐘聲已經(jīng)敲響，在這辭舊迎新、闔家團圓的美好時刻，吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯、最美好的新春祝福！過去一年，我們一同見證了行業(yè)的風(fēng)云變幻，也共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)。但無論市場環(huán)境如何復(fù)雜，您始終堅定地站在我們身邊，與我們并肩前行。這種不離不棄的信任，是我們最為珍視的財富，也是我們持續(xù)創(chuàng)新、提升自我的強大動力源泉。值此新春佳節(jié)，愿您和您的家人盡享健康之福，身體硬朗，活力滿滿。家庭生活幸福美滿，親情在歡聲笑語中愈發(fā)深厚，每天都被溫暖與愛意環(huán)繞。新的一年，

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碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案

SiC CMP拋光液是一種用于對碳化硅襯底進行化學(xué)機械拋光的關(guān)鍵材料，通過化學(xué)腐蝕和機械磨損的協(xié)同作用，實現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應(yīng)用等對襯底表面質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時調(diào)整化學(xué)試劑的種類和濃度，增強

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碳化硅襯底CMP工藝流程

碳化硅襯底CMP工藝流程如下：準(zhǔn)備工作：對碳化硅SiC襯底進行清洗和預(yù)處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時，檢查CMP拋光設(shè)備是否正常運行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。拋光液涂覆：通過自動供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過程中始終充足且均勻分布。CMP拋光過程：將SiC襯底固定在拋光機的承載臺/無蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機帶動襯底和拋光墊做相對運動，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對碳化硅襯底表面進行機械磨削，同時拋光液

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吉致電子2025年春節(jié)放假通知

尊敬的吉致電子合作伙伴：您好！舊歲已展千重錦，新年再進百尺竿。在這辭舊迎新的美好時刻，無錫吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯的新春祝福，感謝您一直以來對我們的支持與信任，您的認(rèn)可與信賴是我們不斷前行的動力。回首過去一年，我們共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)，也一同收獲了成長與進步。我們深知，每一次突破與成就，都離不開您的堅定支持。您的寶貴建議，讓我們的產(chǎn)品和服務(wù)不斷完善，得以更精準(zhǔn)地滿足您的需求。在此，我們向您表達最衷心的感謝。現(xiàn)將我司 2025年春節(jié)放假時間安排告知如下：放假時間為 2025 年 1 月&nb

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半導(dǎo)體CMP--碳化硅襯底無蠟吸附墊的特點

碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強大負(fù)壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學(xué)機械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉(zhuǎn)和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導(dǎo)體無蠟吸附墊強而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時，能有效避免因吸附不穩(wěn)導(dǎo)致的晶圓破裂，提高生產(chǎn)效益。③簡化工藝流程無需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，

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吉致電子--Apple Logo 無蠟吸附墊

無蠟吸附墊蘋果logo研磨拋光墊是一種專為Apple logo研磨拋光設(shè)計的工具，其無蠟構(gòu)造確保了高效穩(wěn)定、無殘留的CMP拋光效果，使用方便降低logo工件損耗率。吉致電子無蠟吸附墊Template主要特點無蠟構(gòu)造：采用無蠟材料，有效降低拋光過程中殘留物的產(chǎn)生，從而提升拋光品質(zhì)。高精度研磨：能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)的研磨和拋光作業(yè)，確保蘋果logo的細(xì)節(jié)和清晰度得到完美呈現(xiàn)。卓越耐磨性：選用高品質(zhì)材料，耐磨性強，顯著延長了產(chǎn)品的使用壽命。環(huán)保安全：無蠟設(shè)計減少了對環(huán)境和操作人員的潛在影響。logo專用無蠟吸附墊應(yīng)用范圍logo

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