吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

先進制程下的CMP挑戰(zhàn)：無紡布拋光墊技術演進與實踐

在化學機械平面化（CMP）工藝中，無紡布拋光墊是一種關鍵組件，其作用主要體現(xiàn)在以下幾個方面：1. 表面平整化•機械研磨作用：復合無紡布拋光墊的纖維結(jié)構具有一定的彈性與剛性，能夠承載研磨顆粒（如二氧化硅、氧化鋁等），在壓力下與晶圓表面接觸，通過相對運動實現(xiàn)材料的均勻去除。•微觀形貌調(diào)控：墊子的多孔結(jié)構和纖維分布有助于分散局部壓力，減少劃傷，促進全局平坦化。2. 研磨漿料的輸送與分布•儲存與釋放漿料：無紡布的多孔特性可吸附并均勻釋放化學研磨漿料（包含腐蝕性化學試劑和磨料），確保漿料持續(xù)供給

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碳化硅拋光墊選型指南：4道工序如何匹配CMP解決方案？

在碳化硅襯底的研磨和拋光工藝中，拋光墊的選擇需根據(jù)工序特性（粗磨、精磨、粗拋、精拋）匹配不同性能的拋光墊。以下是關鍵要點及吉致電子產(chǎn)品的適配方案：碳化硅拋光墊選型要點一、碳化硅襯底粗磨階段需求：高材料去除率、強耐磨性。推薦：高硬度復合無紡布拋光墊JZ-1020，壓紋/開槽設計增強研磨液流動性，避免碎屑堆積。二、碳化硅襯底精磨階段需求：平衡表面平整度與中等去除率。推薦：中硬度拋光墊，特殊纖維結(jié)構提升表面一致性，減少亞表面損傷。碳化硅SiC襯底 研磨墊（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅襯底粗拋階段需求：過渡到低表面

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Template無蠟吸附墊在半導體CMP中的應用

在硅片拋光（尤其是化學機械拋光CMP）工藝中，無蠟吸附墊（Wax-free Adhesive Pad）相比傳統(tǒng)蠟粘接方式具有顯著優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在工藝性能、缺陷控制、生產(chǎn)效率和環(huán)保合規(guī)等方面。吉致電子半導體行業(yè)晶圓、襯底、硅片專用無蠟吸附墊Template憑借五大核心優(yōu)勢，為半導體芯片生產(chǎn)帶來革新體驗。?①無蠟吸附墊:消除蠟污染，提升晶圓潔凈度傳統(tǒng)蠟粘接方式固定工件晶圓易造成蠟漬擴散、雜質(zhì)吸附，干擾光刻、刻蝕等精密工序。吉致電子無蠟吸附墊 template 從源頭杜絕蠟質(zhì)污染，為晶圓打造純凈加工環(huán)境，有效降低芯片不良

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鉬襯底的應用領域及CMP拋光技術解析

鉬（Mo）襯底憑借其高熔點（2623℃）、高熱導率（138 W/m·K）、低熱膨脹系數(shù)（4.8×10-6/K）以及優(yōu)異的機械強度和耐腐蝕性，在半導體、光學、新能源、航空航天等高科技領域發(fā)揮著重要作用。吉致電子對鉬襯底的主要應用場景解析其化學機械拋光（CMP）關鍵技術，幫助行業(yè)客戶更好地選擇和使用鉬襯底拋光液。一、鉬襯底的核心優(yōu)勢高溫穩(wěn)定性：熔點高達2623℃，適用于高溫環(huán)境。優(yōu)異的熱管理能力：高熱導率+低熱膨脹系數(shù)，減少熱應力。高機械強度：耐磨損、抗蠕變，適合精密器件制造。良好的導電性：適

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先進半導體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術與國產(chǎn)化進展

化學機械平坦化（CMP）工藝是半導體制造中的核心技術，其通過化學與機械協(xié)同作用實現(xiàn)納米級表面精度，對集成電路性能至關重要。以下從技術、市場及國產(chǎn)化角度進行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢：25年技術積累可

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吉致電子LED藍寶石襯底研磨拋光CMP工藝方案

藍寶石（α-Al2O3）因其高硬度、優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和良好的光學性能，成為LED芯片制造的主流襯底材料。然而，其高硬度（莫氏硬度9）也使得加工過程極具挑戰(zhàn)性。吉致電子憑借CMP的研磨拋光技術，確保藍寶石襯底表面達到納米級平整度，為高性能LED外延生長奠定基礎。本文將詳細介紹藍寶石襯底的研磨拋光工藝及其技術優(yōu)勢。1. 藍寶石襯底的特性與加工挑戰(zhàn)材料特性：單晶結(jié)構，高透光率（80%以上），耐高溫、耐腐蝕。加工難點：硬度高，傳統(tǒng)機械加工效率低且易產(chǎn)生損傷。表面要求極高（Ra＜0.5nm），否則影響外延層質(zhì)量。晶向（如c面

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吉致電子TSV銅化學機械拋光液：助力3D先進封裝技術突破

在半導體技術飛速發(fā)展的當下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技術）作為前沿的芯片互連技術，正深刻變革著芯片與芯片、晶圓與晶圓之間的連接方式。它通過在芯片及晶圓間構建垂直導通的微孔，并填充銅、鎢等導電材料，實現(xiàn)了三維堆疊封裝中的垂直電氣互連。作為線鍵合（Wire Bonding）、TAB 和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術，TSV 技術憑借縮短的互聯(lián)長度，大幅降低信號延遲與功耗，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率和集成密度，已然成為高性能計算、5G 通信、人工智能等前沿領域不可或缺的核心支撐。TSV技術的

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藍寶石襯底CMP拋光新視野：氧化鋁與氧化硅的多元應用

在藍寶石襯底的化學機械拋光（CMP）工藝中，拋光材料的選擇直接關系到拋光效果和生產(chǎn)效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料，以其獨特的性能優(yōu)勢，在該領域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累，為您深入剖析這兩種材料在藍寶石襯底 CMP 拋光中的特性與應用。氧化鋁在拋光中的特性硬度匹配優(yōu)勢α-氧化鋁的硬度與藍寶石極為接近，這一特性在拋光過程中具有關鍵意義。理論上，相近的硬度可能會增加劃傷藍寶石表面的風險，但在實際應用中，只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻，就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下，憑

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氧化鋁懸浮液在化學機械拋光（CMP）中的應用與優(yōu)化

化學機械拋光（CMP）是半導體制造、光學玻璃加工和集成電路生產(chǎn)中的關鍵工藝，而氧化鋁懸浮液因其優(yōu)異的機械磨削性能和化學可控性，成為CMP工藝的核心材料之一。吉致電子（JEEZ Electronics）作為CMP半導體精密電子材料供應商，致力于為客戶提供高性能的氧化鋁CMP懸浮液解決方案。本文將詳細介紹氧化鋁CMP懸浮液的關鍵特性、配方優(yōu)化及行業(yè)應用。1. 氧化鋁CMP懸浮液的核心要求在CMP工藝中，氧化鋁懸浮液（氧化鋁研磨液/拋光液）需滿足以下關鍵指標，以確保高拋光效率、低表面損傷和長期穩(wěn)定性：性能指標要求顆粒粒徑

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硅片拋光液（Slurry）在半導體制造中的關鍵作用與技術特性

在半導體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關鍵步驟?；瘜W機械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)硅片表面的納米級平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導體材料領域的領先供應商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要

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吉致電子：半導體CMP拋光液Slurry解析

在半導體制造工藝中，化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進工藝，對CMP拋光液的化學穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術，助力客戶突破先進制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學添加劑和超純水組成，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高

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比鉆石更硬核！揭秘吉致電子單晶金剛石研磨液密碼

在半導體、光學元件、精密模具等高端制造領域，材料的超精密加工對表面質(zhì)量的要求近乎苛刻。傳統(tǒng)的研磨拋光技術難以滿足納米級精度需求，而單晶金剛石研磨液憑借其超高的硬度、穩(wěn)定的切削性能和優(yōu)異的表面處理能力，成為超精密加工的核心耗材。吉致電子作為精密研磨材料的領先供應商，提供高純度、高一致性的單晶金剛石研磨液，助力客戶突破加工極限。1. 單晶金剛石研磨液的核心組成單晶金剛石研磨液是一種由高純度單晶金剛石微粉、分散劑、穩(wěn)定劑和液體載體（去離子水或油基）組成的精密拋光材料。其核心優(yōu)勢在于：單晶金剛石微粉：莫氏硬度10，是目前自

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行業(yè)聚焦：硅片CMP研磨拋光液，如何重塑芯片制造格局

在半導體制造的前沿領域，Si硅片CMP研磨拋光液占據(jù)著舉足輕重的地位，是實現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關鍵要素。拋光液（CMP Slurry）、拋光墊（CMP Pad）作為硅片化學機械拋光（CMP）工藝的核心耗材，為構建微觀世界的精密電路網(wǎng)絡奠定了基石。一、核心構成，協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個精心調(diào)配的多元體系，每一組分都各司其職，協(xié)同作用，共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料，微米級雕琢：體系中搭載了納米級的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。

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吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應用解析

氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導體制造、金屬加工及精密光學元件等領域設計的高性能化學機械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應，精準去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準表面處理通過化學腐蝕與機械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不

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吉致電子解析：磷化銦襯底怎么拋光研磨

磷化銦（InP）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的典型代表，憑借其高電子遷移率、寬禁帶寬度和良好的光電性能，在光通信器件、激光器和探測器等領域占據(jù)關鍵地位。其精密加工要求嚴苛，尤其是表面粗糙度需達到納米級（Ra < 0.1nm），傳統(tǒng)機械研磨易導致晶格損傷，化學機械拋光（CMP）技術則成為實現(xiàn)原子級平整表面的核心工藝。吉致電子將系統(tǒng)介紹InP磷化銦襯底CMP拋光從粗磨到精拋的流程及控制要點。一、Inp磷化銦拋光準備工作材料：準備好磷化銦工件，確保其表面無明顯損傷、雜質(zhì)。同時準備吉致電子CMP研磨墊，如聚氨酯拋光墊，其

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吉致電子：氧化鈰拋光液在CMP應用中的3個特性

在精密制造領域，化學機械拋光（CMP）工藝的重要性不言而喻，而高品質(zhì)拋光液是其關鍵。納米氧化鈰（CeO2）因其特性，氧化鈰拋光液在半導體領域、光學領域、晶圓硅片藍寶石襯底材料中的多元應用，賦能多領域發(fā)展助力半導體產(chǎn)業(yè)升級。吉致電子作為CMP工藝耗材廠家，研發(fā)生產(chǎn)的氧化鈰拋光液選用氧化鈰微粉與高純納米氧化鈰作磨料，粒徑可按客戶需求定制。氧化鈰純度高，切削力強，能高效去除材料表面瑕疵。乳液分散均勻，長期儲存不易沉淀，確保拋光性能穩(wěn)定，為精密作業(yè)筑牢根基。氧化鈰拋光液在CMP工藝中的優(yōu)良性能主要體現(xiàn)在三個方面：①高硬度與

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吉致電子科普時間：半導體制造中晶圓和襯底的不同應用場景

在半導體制造領域，襯底和晶圓因自身特性不同，有著截然不同的應用場景。襯底作為半導體器件的基礎支撐材料，主要應用于早期工藝環(huán)節(jié)。在集成電路制造中，它是后續(xù)外延生長、薄膜沉積等工藝的起始平臺。比如在生產(chǎn)硅基半導體時，硅襯底為生長高質(zhì)量的外延層提供穩(wěn)定基底，保證外延層的晶體結(jié)構與襯底晶格匹配，從而為晶體管、二極管等器件的構建奠定基礎。在光電器件制造方面，如發(fā)光二極管（LED），藍寶石襯底常被使用，它為 LED 芯片的生長提供了合適的晶格結(jié)構，有助于實現(xiàn)高效的光電轉(zhuǎn)換。此外，在功率半導體領域，碳化硅襯底因其優(yōu)良的熱導率和電

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磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關聯(lián)

磷化銦襯底拋光液與化學機械平面研磨工藝（CMP）的關聯(lián)磷化銦（InP）作為第二代半導體材料的代表，因其優(yōu)異的電學、光學和熱學性能，在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實現(xiàn)高性能器件的關鍵，其中化學機械平面研磨工藝（CMP）扮演著至關重要的角色。一、 磷化銦襯底為什么使用CMP技術CMP是一種結(jié)合化學腐蝕和機械研磨的表面平坦化技術，通過拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學反應，生成一層易于去除的軟化層，再借助拋光墊Pad的機械作用將其去除，從而實

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吉致電子給您拜年啦！

親愛的吉致電子合作伙伴：您好！2025年的春節(jié)鐘聲已經(jīng)敲響，在這辭舊迎新、闔家團圓的美好時刻，吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯、最美好的新春祝福！過去一年，我們一同見證了行業(yè)的風云變幻，也共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)。但無論市場環(huán)境如何復雜，您始終堅定地站在我們身邊，與我們并肩前行。這種不離不棄的信任，是我們最為珍視的財富，也是我們持續(xù)創(chuàng)新、提升自我的強大動力源泉。值此新春佳節(jié)，愿您和您的家人盡享健康之福，身體硬朗，活力滿滿。家庭生活幸福美滿，親情在歡聲笑語中愈發(fā)深厚，每天都被溫暖與愛意環(huán)繞。新的一年，

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碳化硅襯底CMP工藝流程

碳化硅襯底CMP工藝流程如下：準備工作：對碳化硅SiC襯底進行清洗和預處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時，檢查CMP拋光設備是否正常運行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。拋光液涂覆：通過自動供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過程中始終充足且均勻分布。CMP拋光過程：將SiC襯底固定在拋光機的承載臺/無蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機帶動襯底和拋光墊做相對運動，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對碳化硅襯底表面進行機械磨削，同時拋光液

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