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射頻濾波器拋光液 半導(dǎo)體拋光液 CMP拋光液
磨料類型:SiO2/Al2O3/CeO2/ZrO2
磨料粒徑:10-150nm/全粒徑可定制
射頻濾波器CMP拋光液·參數(shù)吉致電子,CMP拋光材料 可定制·速率高·效果好·專利配方CUSTOMIZABLE, HIGH SPEED, GOOD EFFECT AND PATENTED FORMULA
產(chǎn)品名稱:射頻濾波器拋光液/半導(dǎo)體拋光液/CMP化學(xué)機(jī)械拋光液
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:射頻濾波器拋光液適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。
具有高的銅去除速率,碟型凹陷可調(diào),低缺陷等特性??蓱?yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學(xué)物殘留,以防銅表面腐蝕,降低表面缺陷。
適用范圍:
單晶硅、多晶硅的研磨拋光,存儲(chǔ)器制程和背照式傳感器(BSI)制程等??啥ㄖ七x擇穩(wěn)定的選擇比,去除速率,對(duì)氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點(diǎn)。BSI拋光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層Slurry,TSV晶背銅/介質(zhì)層拋Slurry、TSV晶背硅Slurry、TSV晶背硅/銅Slurry等。具有高去除速率、選擇比可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等。
吉致電子射頻濾波器拋光液特點(diǎn):
1.分散性好。
2.粒徑分布廣泛:10-150nm。
3.高純度,有效減小對(duì)電子類產(chǎn)品的沾污。
4.適合與各種拋光墊、合成材料配合拋光使用。
5.PH、粒徑、穩(wěn)定離子等可以根據(jù)客戶定制(10-150 nm)。
6.經(jīng)特殊工藝合成的化學(xué)機(jī)械拋光液,納米顆粒呈球形,單分散,大小均勻,粒徑分布窄,可獲得高質(zhì)量的拋光精度。
7.RR、dishing、range等效果都不錯(cuò),對(duì)于si和psg的選擇比也很好
拋光過(guò)程中具有:
1.高拋光速率,利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達(dá)到高速拋光的目的。(可以生產(chǎn)150nm)。
2.高平坦度加工,吉致氧化硅精拋液是利用SiO2的膠體粒子,不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷,達(dá)到高平坦化加工。
拋光過(guò)程后具有:
1.精度可以達(dá)到納米
2.劃傷和挖傷可以達(dá)到0/0
吉致電子射頻濾波器拋光液使用方法:
1.可根據(jù)拋光操作條件用去離子水進(jìn)行5-20倍稀釋。
2.稀釋后,粗拋時(shí)調(diào)節(jié)PH11左右,精拋時(shí)調(diào)節(jié)PH9.5左右。pH調(diào)節(jié)可以用10%的鹽酸、醋酸、檸檬酸、KOH或氨水在充分?jǐn)嚢柘侣尤搿?/p>
3.循環(huán)拋光可以用原液。
吉致電子射頻濾波器拋光液儲(chǔ)存方法:
1.貯存時(shí)應(yīng)避免曝曬,貯存溫度為5-35℃
2.低于0℃以上儲(chǔ)存,防止結(jié)冰,在無(wú)度以下因產(chǎn)生不可再分散結(jié)塊而失效。
3.避免敞口長(zhǎng)期與空氣接觸。
吉致電子射頻濾波器拋光液價(jià)格:
吉致電子的射頻濾波器拋光液生產(chǎn)技術(shù)是引進(jìn)國(guó)外生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備,特殊化學(xué)配方制備而成。吉致電子拋光液品質(zhì)可以媲美進(jìn)口同類產(chǎn)品。
本土化生產(chǎn)的優(yōu)勢(shì)使吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品交貨周期快,品質(zhì)好,拋光液價(jià)格實(shí)惠親民。
吉致電子研發(fā)團(tuán)隊(duì)--15年經(jīng)驗(yàn)CMP拋光液配方工程師,為您攻克拋光難題!
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