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碳化硅晶圓拋光液 硅襯底拋光液 slurry拋光液
磨料類型:專利化學配方/可定制
磨料粒徑:專利化學配方/可定制
碳化硅晶圓拋光液·參數(shù)吉致電子,CMP拋光材料 可定制·速率高·效果好·專利配方CUSTOMIZABLE, HIGH SPEED, GOOD EFFECT AND PATENTED FORMULA
產(chǎn)品名稱:碳化硅晶圓拋光液/硅襯底SIC拋光液/半導體拋光液/CMP化學機械拋光液
產(chǎn)品簡介:為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學機械平坦化配制的拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓表面去除率和平坦化性能,提供了非常好的表面光潔度
吉致電子碳化硅拋光液特點:
·用于可擴展制造低缺陷功率和半絕緣 SiC(碳化硅)襯底的高性能Slurry拋光漿料。
·專為滿足Sic晶圓基片C面、單晶硅、多晶硅從研磨到 CMP工藝各階段的規(guī)格而設(shè)計
·定制硅晶圓工件 CMP 系統(tǒng)的優(yōu)化解決方案,以提供較低的成本
·高拋光速率的拋光液配方,快速高效同時保持均勻性、零亞表面損傷和低缺陷/劃痕
·Slurry拋光液可大批量制造 (HVM) 并與散裝輸送系統(tǒng)兼容
·可根據(jù)要求設(shè)計定制解決方案。
拋光過程中具有:
1.高拋光速率 --------精密的磨料和化學配方專門設(shè)計,用于SiC外延片碳化硅襯底上提供高去除率和低表面粗糙度
2.高平坦度加工-----吉致碳化硅晶圓精拋液不會對加工件造成物理損傷,達到高平坦化加工
吉致電子碳化硅晶圓Slurry拋光液使用方法:
1.可根據(jù)拋光操作條件用去離子水進行5-20倍稀釋。
2.稀釋后,粗拋時調(diào)節(jié)PH11左右,精拋時調(diào)節(jié)PH9.5左右。pH調(diào)節(jié)可以用10%的鹽酸、醋酸、檸檬酸、KOH或氨水在充分攪拌下慢慢加入。
3.循環(huán)拋光可以用原液。
吉致電子碳化硅晶圓Slurry拋光液儲存方法:
1.貯存時應(yīng)避免曝曬,貯存溫度為5-35℃
2.低于0℃以上儲存,防止結(jié)冰,在無度以下因產(chǎn)生不可再分散結(jié)塊而失效。
3.避免敞口長期與空氣接觸。
吉致電子碳化硅晶圓Slurry拋光液價格:
吉致電子的碳化硅晶圓拋光液生產(chǎn)技術(shù)是引進國外生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備,特殊化學配方制備而成。吉致電子拋光液品質(zhì)可以媲美進口同類產(chǎn)品。
本土化生產(chǎn)的優(yōu)勢使吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品交貨周期快,品質(zhì)好,拋光液價格實惠親民。
吉致電子研發(fā)團隊--15年經(jīng)驗CMP拋光液配方工程師,為您攻克拋光難題!
無錫吉致電子科技有限公司
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