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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體CMP--碳化硅襯底無(wú)蠟吸附墊的特點(diǎn)[ 2025-01-16 16:42 ]: 碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無(wú)蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢(shì)：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強(qiáng)大負(fù)壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉(zhuǎn)和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動(dòng)，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導(dǎo)體無(wú)蠟吸附墊強(qiáng)而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時(shí)，能有效避免因吸附不穩(wěn)導(dǎo)致的晶圓破裂，提高生產(chǎn)效益。③簡(jiǎn)化工藝流程無(wú)需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，; http://simplybyfaithhousing.com/Article/bdtcmpthgc_1.html

吉致電子拋光材料源頭廠家
25年專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)