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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[應(yīng)用案例]Sic Slurry 吉致電子碳化硅晶圓拋光液[ 2023-04-11 11:07 ]
  吉致電子碳化硅精拋液，適用于Sic碳化硅晶圓襯底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度拋光、低粗糙度的特點，SiC碳化硅襯底拋光液拋光后的晶圓表面無劃傷、霧等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致電子研發(fā)的碳化硅拋光液稀釋比高、拋光后表面易清洗，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路襯底的制造中。  吉致電子SiC Slurry wafer拋光液具有很好的流動性和分散性，不易結(jié)晶、易清洗、拋光效率高等優(yōu)點，可以滿足碳化硅晶片的精拋加工要求，也可根據(jù)客戶工藝調(diào)整做定制化硅晶圓(si wafer)
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程[ 2022-10-26 14:32 ]
碳化硅襯底CMP化學(xué)機械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對碳化硅襯底加工采用專門的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精
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