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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動態(tài)]為什么不能用機械磨削grinding代替cmp？[ 2025-01-09 15:29 ]
  為何僅在晶圓背面減薄過程中采用grinding工藝？盡管在芯片制程中也存在減薄需求，為何選擇cmp工藝而非grinding？Grinding與cmp工藝的原理是什么？Grinding，即機械磨削，是一種通過機械力直接去除晶圓表面材料的方法。通常不使用研磨液，而是利用超純水進行清洗或帶走產(chǎn)生的碎屑和熱量。相比之下，cmp即化學機械研磨，結合了化學反應與機械力來去除材料。目標材料首先與cmp slurry中的氧化劑、酸、堿等發(fā)生微反應，隨后在拋光頭、拋光墊以及slurry中磨料的共同作用下，通過機械力去除
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[行業(yè)資訊]吉致電子CMP拋光墊：從粗到精，體驗高效拋光[ 2024-11-29 14:35 ]
  CMP（化學機械拋光）拋光墊是一種在半導體制造過程中用于平面化晶圓表面的關鍵材料。CMP拋光墊通過結合化學反應和機械研磨的方式，能夠有效地去除晶圓表面的多余材料，從而達到高度平整的表面質(zhì)量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔結構，以便在拋光過程中儲存和釋放拋光液CMP Slurry，從而確保拋光過程的均勻性和效率。  CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換，以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料，因此選擇合適的拋光墊對于確保晶圓質(zhì)量
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[常見問題]CMP拋光液---半導體拋光液種類有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]
  半導體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領域的應用遠不止晶圓拋光，半導體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術是用氧化物隔開各個門電路，使各門電路之間互不導通，STI CMP工藝的目標是去除填充在淺溝槽中的
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