- [常見問題]什么是SIC碳化硅襯底的常規(guī)雙面磨工藝[ 2024-03-07 17:22 ]
- 碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規(guī)的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規(guī)雙面磨工藝雙面磨工藝又稱DMP工藝，是目前大部分國內(nèi)碳化硅襯底廠商規(guī)?；a(chǎn)的工藝方案，對碳化硅進行雙面研磨(粗磨/精磨)達到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨：采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產(chǎn)生的損傷層，修復面型，
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