在半導(dǎo)體CMP化學(xué)機械工藝中，通常提到襯底研磨拋光液和外延片研磨拋光液。那么襯底和外延片的區(qū)別在哪？吉致電子一文解答兩者區(qū)別：

半導(dǎo)體襯底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半導(dǎo)體制造中的兩種關(guān)鍵材料，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在定義、結(jié)構(gòu)、用途和制備工藝上

1. 定義與作用

襯底（Substrate）

是半導(dǎo)體器件的“基礎(chǔ)載體”，通常為單晶圓片（如硅、碳化硅、藍寶石等），提供機械支撐和晶體結(jié)構(gòu)模板。

功能：確保后續(xù)外延生長或器件加工的晶體結(jié)構(gòu)一致性。

外延片（Epitaxial Wafer）

是在襯底表面通過外延生長技術(shù)（如氣相外延、分子束外延）沉積的一層單晶薄膜。

功能：優(yōu)化電學(xué)性能（如純度、摻雜濃度），或?qū)崿F(xiàn)襯底無法直接提供的材料特性（如硅襯底上生長GaN）。

2. 結(jié)構(gòu)與組成

襯底：

單一材料，厚度較大（幾百微米），晶體質(zhì)量高但可能存在缺陷（如位錯）。

例如：硅襯底、GaAs襯底、SiC襯底。碳化硅襯底拋光液、硅片拋光液

外延片：

由“襯底+外延層”構(gòu)成，外延層厚度較?。{米到微米級），晶體結(jié)構(gòu)與襯底一致（同質(zhì)外延）或不同（異質(zhì)外延）。

例如：硅襯底上生長Si外延層（同質(zhì)），或藍寶石襯底上生長GaN（異質(zhì)）。氮化鎵拋光液、藍寶石外延片研磨液

3. 制備工藝

襯底：

通過晶體生長（如直拉法、區(qū)熔法）、切割、拋光獲得。

外延片：

在襯底上通過化學(xué)氣相沉積（CVD）、分子束外延（MBE）等技術(shù)生長外延層，需精確控制溫度、氣體流速等參數(shù)。

4. 應(yīng)用場景

襯底：

直接用于制造簡單器件（如硅基MOSFET）。

作為外延生長的“種子層”。

外延片：

用于高性能器件：功率器件（SiC外延）、射頻器件（GaN-on-Si）、LED（藍寶石上GaN）等。

通過外延層調(diào)節(jié)能帶結(jié)構(gòu)、減少缺陷，提升器件效率。

5. 半導(dǎo)體襯底VS外延片區(qū)別總結(jié)

6.吉致電子半導(dǎo)體襯底、外延片CMP研磨拋光解決方案

簡而言之，襯底是“地基”，外延片是“地基+精裝修”，后者通過外延層實現(xiàn)更復(fù)雜的器件需求。

半導(dǎo)體襯底和外延片是芯片制造的核心材料，直接影響器件的性能和可靠性。襯底作為基礎(chǔ)載體，提供機械支撐和晶體模板；而外延片通過精準的外延生長技術(shù)優(yōu)化電學(xué)特性，滿足高端半導(dǎo)體器件的需求。

在半導(dǎo)體制造過程中，無論是襯底制備還是外延層生長，化學(xué)機械拋光（CMP）都是關(guān)鍵工藝之一。吉致電子科技（JEEZ Electronics）專注于半導(dǎo)體CMP拋光耗材的研發(fā)與生產(chǎn)，提供高性能的拋光液（Slurry）和拋光墊（Pad），確保晶圓表面達到納米級平整度，滿足先進制程的嚴苛要求。選擇吉致電子的CMP拋光解決方案，助力您的半導(dǎo)體制造工藝更高效、更精準！

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