吉致資訊第48期:半導(dǎo)體砷化鎵的材質(zhì)性能
美國(guó)的一家公司使用了外延剝離技術(shù),成功用砷化鎵制造出了高轉(zhuǎn)化效率薄膜太陽(yáng)能電池,轉(zhuǎn)化率高達(dá)28.4%。這種電池不僅僅打破了此前的轉(zhuǎn)化率,它的生產(chǎn)成本也低于其它的太陽(yáng)能電池。這種太陽(yáng)能電池效率提升的關(guān)鍵并非是讓其吸收更多的光子,而是讓其釋放更多的光子,未來(lái)用砷化鎵制造的太陽(yáng)能電池有望突破能效轉(zhuǎn)化記錄的限。就目前而言效率高的商用太陽(yáng)能電池由單晶硅圓制造,高的轉(zhuǎn)化率為23%。砷化鎵雖然比硅貴,但它其吸收的光子效率更加的效率,按性價(jià)比來(lái)說(shuō),砷化鎵是制造太陽(yáng)能的理想材料。
砷化鎵雖然是太陽(yáng)能電池的理想材料,但是對(duì)于其拋光需要化學(xué)機(jī)械平面拋光,搭配理想的砷化鎵拋光液和砷化鎵拋光墊,一般砷化鎵拋光液被廣泛用于2-6寸的砷化鎵晶片,使用時(shí)可以加10-20倍的純水進(jìn)行稀釋,拋光溫度要控制在35℃-45℃,拋光機(jī)的下壓力控制在100-300g/cm²,砷化鎵拋光液建議循環(huán)使用6-8小時(shí)。砷化鎵拋光液、砷化鎵拋光墊所拋的砷化鎵無(wú)劃傷,具有很高的移除速率,被廣泛使用。
砷化鎵是典型的直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu),導(dǎo)帶小值與價(jià)帶大值均處于布里淵區(qū)中心,即K=0處,這使其具有較高的電光轉(zhuǎn)換效率,是制備光電器件的優(yōu)良材料。在300K時(shí),砷化鎵材料禁帶寬度為1.42eV,遠(yuǎn)大于鍺的0.67eV和硅的1.12eV,因此,砷化鎵器件可以工作在較高的溫度下和承受較大的功率。砷化鎵(GAas)材料與傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料相比,它具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙,消耗功率低的特性,電子遷移率約為硅材料的5.7倍。因此,廣泛用于高頻及無(wú)線通訊中制作IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件,通常應(yīng)用于無(wú)線通信、光纖通信、移動(dòng)通信、GPS社會(huì)導(dǎo)航等領(lǐng)域,除在IC產(chǎn)品應(yīng)用以外,砷化鎵材料也可以加入其它元素改變其能帶結(jié)構(gòu)使其產(chǎn)生光電效應(yīng),制成半導(dǎo)體發(fā)光器件,還可以制作砷化鎵太陽(yáng)能電池。
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