Cu CMP研磨工藝通常包括三步。

第一步：用來磨掉晶圓表面的大部分金屬。

第二步：通過降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過終點偵測技術(shù)（Endpoint）使研磨停在阻擋層上。

第三步：磨掉阻擋層以及少量的介質(zhì)氧化物,并用大量的去離子水（DIW）清洗研磨墊和晶圓。

Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對阻擋層和介質(zhì)層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液（金屬研磨液/介質(zhì)研磨液）都應(yīng)該含有H₂O₂、抗腐蝕的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物。Al₂O₃ 或Si₂O₃可用作研磨顆粒,主要取決于研磨速率以及這種含有顆粒的膠體的穩(wěn)定性。

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