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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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吉致電子無蠟吸附墊革新晶圓制造工藝:零殘留·高平坦·更穩(wěn)定

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2025-06-19 17:02【

在半導(dǎo)體晶圓拋光領(lǐng)域傳統(tǒng)“蠟?zāi)Qb夾”工藝存在效率低、良率受限等痛點(diǎn),而半導(dǎo)體真空吸附墊Template技術(shù)的創(chuàng)新和使用正在推動(dòng)行業(yè)變革。吉致電子通過定制化半導(dǎo)體晶圓拋光的CMP(化學(xué)機(jī)械平坦化)無蠟吸附墊、真空吸附板設(shè)計(jì),可為半導(dǎo)體領(lǐng)域客戶提升生產(chǎn)效率。吉致電子真空吸附墊/CMP拋光模版通過「無蠟革命」,為硅片、晶圓、SiC、藍(lán)寶石襯底、光學(xué)玻璃等材料提供高精度拋光解決方案。

傳統(tǒng)蠟粘工藝的核心痛點(diǎn)

效率瓶頸

蠟?zāi)P杓訜?冷卻固化,單次裝夾耗時(shí)30分鐘以上,影響產(chǎn)能。

殘留蠟清洗工序復(fù)雜,增加非生產(chǎn)性時(shí)間。

吉致電子硅片吸附墊 半導(dǎo)體無蠟吸附墊

良率挑戰(zhàn)

蠟層厚度不均導(dǎo)致應(yīng)力分布差異,引發(fā)微劃傷或邊緣崩缺(Edge Chipping)。

高溫工藝對超薄晶圓(如<100μm)的熱變形風(fēng)險(xiǎn)。

成本與環(huán)保壓力

耗材(蠟、溶劑)持續(xù)消耗,廢棄物處理成本上升。

不符合半導(dǎo)體行業(yè)減碳趨勢。

吉致電子Template吸附墊的技術(shù)突破點(diǎn):

高精度氣密設(shè)計(jì)

多區(qū)微孔真空吸附+氣壓自適應(yīng)控制,實(shí)現(xiàn)<0.1μm的平面度公差(適用于300mm晶圓)。

材料兼容性創(chuàng)新

碳纖維復(fù)合材料或陽極氧化鋁基板,兼顧輕量化與抗化學(xué)腐蝕(CMP漿料耐受性)。

定制化服務(wù)

根據(jù)客戶晶圓尺寸(如8/12英寸)、曲率(SiC襯底翹曲補(bǔ)償)、圖案化襯底(如TSV晶圓)提供優(yōu)化吸附墊設(shè)計(jì)方案。

硅片、晶圓、襯底無蠟吸附墊Template

吉致電子無蠟吸附墊適用于哪些工藝?

我們與客戶緊密合作,確保吸附墊的設(shè)計(jì)方案通過認(rèn)證并滿足物理規(guī)格要求。 適

用于各種拋光工藝包括:

翻轉(zhuǎn)拋光(Flip Polish)

接觸拋光(Touch Polish)

單面拋光(Single-Side Polish)

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)

吉致電子無蠟吸附墊可有效防止CMP加工過程中晶圓、襯底穿插和剝離現(xiàn)象的發(fā)生,提高拋光墊的使用壽命。同時(shí)避免工件碎片、崩角、刮傷現(xiàn)象的產(chǎn)生,提高硅片晶圓的良品率。在半導(dǎo)體制造工藝不斷突破3nm/5nm節(jié)點(diǎn)的當(dāng)下,吉致電子憑借自主研發(fā)的無蠟吸附墊技術(shù),以創(chuàng)新的材料科學(xué)和精密制造工藝,為先進(jìn)封裝及化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域提供了更潔凈、更可靠的晶圓固定解決方案,為產(chǎn)業(yè)升級注入新動(dòng)能。

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