碳化硅SiC拋光工藝
根據(jù)半導體行業(yè)工藝不同,CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學機械拋光液、阻擋層化學機械拋光液、銅化學機械拋光液、硅化學機械拋光液、鎢化學機械拋光液、TSV化學機械拋光液、淺槽隔離化學機械拋光液等。
SIC CMP拋光液是半導體晶圓制造過程中所需主要材料之一,在碳化硅材料工件打磨過程中起著關(guān)鍵作用,拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。
近年來,在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下,碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴大、市場規(guī)模不斷擴大,進而帶動CMP拋光液市場需求不斷增加。
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