碳化硅SiC拋光工藝
根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同，CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液、銅化學(xué)機(jī)械拋光液、硅化學(xué)機(jī)械拋光液、鎢化學(xué)機(jī)械拋光液、TSV化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液等。
SIC CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨過程中起著關(guān)鍵作用，拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。
近年來，在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下，碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大、市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，進(jìn)而帶動(dòng)CMP拋光液市場需求不斷增加。
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