CMP工藝是芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
  在蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，芯片制造如同一場精細的藝術(shù)創(chuàng)作，而半導(dǎo)體芯片研磨與CMP工藝則是其中重要的環(huán)節(jié)。芯片制造是一個高度復(fù)雜的過程，涉及多個步驟，CMP設(shè)備及CMP耗材（拋光液/拋光墊）在這個過程中起著不可或缺的作用。
  隨著芯片制程不斷縮小，對晶圓表面平整度的要求越來越高。如果晶圓表面不平整，在后續(xù)的光刻、刻蝕等工藝中，就會出現(xiàn)對焦精度不準確、線寬控制不穩(wěn)定等問題，嚴重影響芯片的性能和質(zhì)量。例如，當制造層數(shù)增加時，如果晶圓表面不平整，可能導(dǎo)致金屬薄膜厚度不均進而影響電阻值，甚至引發(fā)電子遷移或電路短路等后果。

  CMP工藝是提升芯片品質(zhì)的核心力量
  半導(dǎo)體芯片研磨與CMP工藝是提升芯片品質(zhì)的核心力量。使用CMP拋光液、拋光墊和CMP設(shè)備共同作用，能夠使芯片表面更加平坦光滑，為芯片的高性能運行提供保障。
  在CMP過程中，工件晶圓固定在拋光墊上，拋光液CMP Slurry中含有的磨料與拋光墊CMP Pad的摩擦力共同作用，將表面材料逐層去除。這種技術(shù)不僅能夠去除表面多余的材料，還可以實現(xiàn)極高的平坦度和低的表面粗糙度。
據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，CMP材料的成本占晶圓制造總成本的 7%。這充分說明了CMP工藝在芯片制造中的重要地位。同時，隨著芯片制程的不斷進步，對CMP工藝和CMP耗材的要求也越來越高。例如，在 7nm 及以下制程芯片制造中，需將晶圓表面平整度控制在亞納米級，這對CMP設(shè)備各參數(shù)如壓力、轉(zhuǎn)速、拋光液流量等提出了超高精度控制的要求。

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