化學機械拋光（CMP）是半導體晶圓制造的關(guān)鍵步驟，這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。

  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。

  CMP拋光液的類別：根據(jù)應用領(lǐng)域，拋光液可分為硅拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、鎢拋光液、鈷拋光液、介質(zhì)層（TDL）拋光液、淺槽隔離層（STI）拋光液和3D封裝硅通孔（TSV）拋光液。硅拋光液主要用于對硅晶圓的初步加工；銅及銅阻擋層拋光液主要用于對銅和銅阻擋層進行拋光；鎢拋光液主要用于制造存儲芯片，在邏輯芯片中只用于部分工藝段；鈷拋光液主要用于10nm節(jié)點以下芯片。

  隨著制程不斷迭代，未來拋光材料將往專用化和定制化方向發(fā)展，吉致電子專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)CMP拋光液及拋光耗材，為解決半導體晶圓拋光難題而努力！

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