隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車(chē)、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域掀起技術(shù)革命。作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。

碳化硅襯底：高端應(yīng)用行業(yè)的基石

碳化硅襯底因其寬禁帶、高導(dǎo)熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；

在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號(hào)傳輸效率。這些高端應(yīng)用對(duì)襯底表面質(zhì)量提出嚴(yán)苛要求，表面粗糙度需控制在0.5nm以下。

吉致電子碳化硅襯底CMP拋光液的核心優(yōu)勢(shì)

針對(duì)碳化硅材料硬度高、化學(xué)惰性強(qiáng)的特點(diǎn)，吉致電子創(chuàng)新研發(fā)的碳化硅拋光液具有以下突出優(yōu)勢(shì)：

1，采用專(zhuān)利配方的納米復(fù)合磨料，實(shí)現(xiàn)高效去除與低損傷的完美平衡

2，專(zhuān)利配方的氧化催化體系，顯著提升拋光效率30%以上

3，表面平整度控制能力，粗糙度可達(dá)0.2nm以下

4，穩(wěn)定的分散體系，確保一致性和重復(fù)性

技術(shù)賦能產(chǎn)業(yè)升級(jí)

吉致電子持續(xù)投入半導(dǎo)體拋光液及CMP耗材研發(fā)，已形成覆蓋4-8英寸碳化硅襯底的完整CMP拋光液產(chǎn)品線(xiàn)。我們的解決方案具有：

1，更優(yōu)的拋光速率與表面質(zhì)量

2，更低的缺陷率與生產(chǎn)成本,

3，更好的工藝兼容性與穩(wěn)定性

未來(lái)，吉致電子將繼續(xù)深化技術(shù)創(chuàng)新，與產(chǎn)業(yè)鏈伙伴攜手，共同推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步與應(yīng)用落地。我們期待為更多客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的CMP拋光解決方案，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

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