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碳化硅單晶襯底加工技術---CMP拋光工藝

文章出處：責任編輯：人氣：-發(fā)表時間：2024-01-26 16:25【大中小】

碳化硅拋光工藝的實質是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標準如圖所示。

碳化硅單晶拋光片加工標準

碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機械拋光的關鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。

目前，關于碳化硅晶片雙面拋光的報道較少，相關工藝參數(shù)有待進一步優(yōu)化。精拋為單面拋光，CMP化學機械拋光是應用最為廣泛的拋光技術，通過化學腐蝕和機械磨損協(xié)同作用，實現(xiàn)材料表面去除及平坦化。晶片在拋光液的作用下發(fā)生氧化反應，生成的軟化層在磨粒機械作用下相對容易被除去。作為單晶襯底加工的最后一道工藝，CMP拋光是實現(xiàn)碳化硅SIC襯底全局平坦化的常用方法，也是保證被加工表面實現(xiàn)超光滑、無缺陷損傷的關鍵工藝。目前報道的典型精拋工藝技術對比如下圖所示。

吉致電子以幫助用戶持續(xù)提升效率和良品率為目標，針對SIC襯底DMP和CMP工藝不斷優(yōu)化研發(fā)和改善，打破長期被國外壟斷的關鍵耗材，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。吉致電子國產(chǎn)碳化硅研磨液/拋光液/研磨墊/拋光墊拋光效果顯著，可根據(jù)要求定制產(chǎn)品。

吉致電子碳化硅CMP拋光耗材