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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案[ 2025-01-23 17:18 ]

SiC CMP拋光液是一種用于對碳化硅襯底進行化學機械拋光的關鍵材料，通過化學腐蝕和機械磨損的協(xié)同作用，實現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應用等對襯底表面質(zhì)量的嚴苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時調(diào)整化學試劑的種類和濃度，增強

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[行業(yè)資訊]半導體CMP--碳化硅襯底無蠟吸附墊的特點[ 2025-01-16 16:42 ]

碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強大負壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學機械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉(zhuǎn)和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導體無蠟吸附墊強而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時，能有效避免因吸附不穩(wěn)導致的晶圓破裂，提高生產(chǎn)效益。③簡化工藝流程無需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，

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[吉致動態(tài)]吉致電子CMP Pad化學機械拋光墊[ 2024-12-27 18:27 ]

吉致電子專注研發(fā)、設計、測試與生產(chǎn)制造CMP耗材，CMP PAD化學機械拋光墊用于半導體制造、平面顯示器、光學玻璃、各類晶圓襯底材料、高精密陶瓷件、金屬與硬盤基板的研磨拋光工藝。吉致電子CMP拋光墊采用精密涂布技術和科技材料能有效提升客戶制程中的移除率和高平坦度、低缺陷等要求。吉致拋光墊團隊從事高分子材料合成、發(fā)泡技術與復合材料研制已有多年經(jīng)驗，積累深厚的材料制造和研發(fā)基礎.拋光墊產(chǎn)品因其特殊纖維材質(zhì)，耐用、耐磨、耐酸堿，價比高。PAD產(chǎn)品包括且不限于：聚氨酯拋光墊、阻尼布精拋墊、復合拋光墊、絨面拋光墊、無紡布拋光

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[吉致資訊]吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些[ 2024-12-17 15:37 ]

吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些？化學機械拋光（CMP）技術是目前國際上公認的唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的技術，在半導體技術領域中占據(jù)著舉足輕重的地位。CMP精拋墊，作為CMP化學機械平面研磨（Chemical Mechanical Polishing）精拋階段所使用的拋光墊，是半導體制造過程中不可或缺的關鍵耗材。吉致電子CMP拋光墊--精拋墊的功能特點將通過以下四個方面進行闡述： CMP精拋墊在CMP工藝流程中發(fā)揮著至關重要的作用，其主要功能涵蓋：1.確保拋光液能夠高效且均勻

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[行業(yè)資訊]吉致電子---碲鋅鎘襯底用什么拋光液？[ 2024-12-06 14:58 ]

碲鋅鎘晶體是一種具有優(yōu)異光電性能的半導體材料，其化學式為CdZnTe，也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測器、X射線和伽馬射線探測器以及紅外探測器等領域有著廣泛的應用。由于其高電阻率、高原子序數(shù)和良好的能量分辨率，碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設備。此外，它還具有良好的化學穩(wěn)定性和機械加工性能，使其在制造過程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進行CMP加工呢？碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學機械拋光（Chemical Mechanical Pl

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[吉致動態(tài)]吉致電子--磷化銦拋光液在半導體CMP制程中的應用[ 2024-12-05 16:20 ]

無錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導體材料磷化銦表面處理的CMP化學機械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學成分，能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整，確保獲得光滑、無損傷的表面。磷化銦拋光液在半導體制造過程中非常重要，它直接影響到最終器件的性能和穩(wěn)定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個復雜的過程，需要綜合考慮多個因素，且在CMP拋磨使用時，需要根據(jù)磷化銦襯底的具體要求和拋光設備的特性來選擇合適的InP拋光液，并嚴格控制拋光過程中的參數(shù)，如溫度、壓力和拋光時間等。首先，磷化銦CMP拋光液的成分

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[行業(yè)資訊]吉致電子CMP拋光墊：從粗到精，體驗高效拋光[ 2024-11-29 14:35 ]

CMP（化學機械拋光）拋光墊是一種在半導體制造過程中用于平面化晶圓表面的關鍵材料。CMP拋光墊通過結合化學反應和機械研磨的方式，能夠有效地去除晶圓表面的多余材料，從而達到高度平整的表面質(zhì)量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔結構，以便在拋光過程中儲存和釋放拋光液CMP Slurry，從而確保拋光過程的均勻性和效率。 CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換，以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料，因此選擇合適的拋光墊對于確保晶圓質(zhì)量

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[行業(yè)資訊]杜邦IC1000拋光墊的特點及國產(chǎn)替代[ 2024-10-23 14:50 ]

在半導體晶圓及芯片的制造過程中，CMP是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關鍵工藝，而IC1000作為一種高性能的拋光墊，為 CMP工藝的順利進行提供了有力保障。杜邦IC1000系列拋光墊能夠存儲和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域，通過slurry的流動和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進行。在化學機械拋光過程中，拋光液中的化學成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學反應，生成較易去除的物質(zhì)，而dupont IC1000 Pad為這一化學反應提供了穩(wěn)定的場所。同時，IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品，如氧化產(chǎn)物

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[行業(yè)資訊]吉致電子鈮酸鋰LN拋光液的優(yōu)點[ 2024-10-18 16:13 ]

鈮酸鋰晶體LiNbO3化學機械拋光液能夠顯著降低工件表面粗糙度。在CMP化學機械加工工藝的優(yōu)化下LN鈮酸鋰工件表面粗糙度得以快速降低，獲得超光滑、無損傷的表面。表面粗糙度低不僅提高了工件的外觀質(zhì)量，更重要的是符合鈮酸鋰晶片高精度加工的嚴格需求。在一些對表面精度要求極高的應用領域，如光電子器件制造中，低表面粗糙度可以有效提高光的傳輸效率，減少散射損耗，提升器件的性能和可靠性。例如，在集成光路中，低損耗和高折射率對比度的光波導是構建大規(guī)模光子集成芯片的最基本單元，而超光滑的鈮酸鋰表面能夠為光波導提供更好的

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[吉致動態(tài)]吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用[ 2024-10-03 12:06 ]

吉致電子鈮酸鋰晶體化學機械拋光液在多個領域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關鍵材料。通過CMP化學機械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學機械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領域有著廣泛的應用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學元件，表面粗糙度極低

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[吉致動態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]

碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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[常見問題]CMP化學機械拋光在半導體領域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]

化學機械拋光（CMP）是半導體晶圓制造的關鍵步驟，這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術的關鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對提高晶圓制造質(zhì)量至關重要。 CMP拋光液/墊技術壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs

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[應用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]

不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術:電解拋光、化學拋光和機械拋光。隨著對鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高，同時為了提高拋光效率，新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學機械拋光被廣泛應用。吉致電子針對不銹鋼表面鏡面處理，配制組成的CMP拋光液，通過化學溶液提高不銹鋼表面活性，同時進行高速的機械拋光，用來消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。CMP化學機械拋光對環(huán)境污染最小，不銹鋼鏡面拋光質(zhì)量最好，快速有效降低原始工件表面粗糙度，經(jīng)過粗拋和精拋工藝能達到鏡面效果，無劃傷、無凹坑、無麻點橘皮。根據(jù)金屬的種

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[行業(yè)資訊]CMP在半導體晶圓制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]

化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓全局平坦化的關鍵工藝，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講，半導體晶圓制程可分為前道和后道 2 個環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測試。前道加工領域CMP主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。后道封裝領域CMP 工藝用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注

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[應用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]

根據(jù)半導體行業(yè)工藝不同，CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學機械拋光液、阻擋層化學機械拋光液、銅化學機械拋光液、硅化學機械拋光液、鎢化學機械拋光液、TSV化學機械拋光液、淺槽隔離化學機械拋光液等。 SIC CMP拋光液是半導體晶圓制造過程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨過程中起著關鍵作用，拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關。近年來，在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術不斷發(fā)展背景下，碳化硅襯底應用領域不斷擴大、市場規(guī)模不斷擴大，進而帶動

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[應用案例]硬質(zhì)合金拋光液--鏡面拋光鎢鋼刀片[ 2023-04-14 15:01 ]

硬質(zhì)合金刀片具有硬度高、韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，特別是它的高硬度和耐磨性，在1000℃時仍保持較高的硬度。硬質(zhì)合金鎢鋼工件對于很多拋光工藝來說屬于比較難加工的一種材質(zhì)。鎢鋼刀片拋光目前可通過CMP化學機械拋光工藝，搭配金屬專用拋光液達到理想的表面光潔度。硬質(zhì)合金刀片又叫鎢鋼刀片，原始件表面有銹斑、劃痕和麻點等不良現(xiàn)象，要解決這些問題需通過平面研磨機配合吉致電子硬質(zhì)合金研磨液、研磨墊、研磨盤等達到鏡面效果。硬質(zhì)合金的CMP機械化學鏡面拋光，經(jīng)過粗拋

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[吉致動態(tài)]吉致電子常見的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]

CMP 化學機械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。根據(jù)拋光對象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過程，在10nm 及以下技術節(jié)點中，鈷將部分代替銅作為導線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研

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[行業(yè)資訊]銅化學機械拋光液---什么是TSV技術？[ 2023-02-24 15:34 ]

銅機械化學拋光液---什么是TSV技術？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術。TSV的顯著優(yōu)勢：TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

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[常見問題]吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導體行業(yè)的應用[ 2023-02-09 13:14 ]

CMP化學機械拋光應用于各種集成電路及半導體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導體行業(yè)的應用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。 CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結構及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。在半導體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在

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[應用案例]鋁合金拋光液--鋁質(zhì)工件鏡面拋光[ 2022-12-29 10:44 ]

鋁合金地較軟，硬度低，因此在加工成型過程中極易產(chǎn)生機械損傷造成劃痕、磨損等表面缺陷，同時易發(fā)生腐蝕，表面的化學穩(wěn)定性差。為了消除加工過程中的缺陷,通常采用CMP化學機械拋光方法，以期獲得良好的表面光潔度。隨著高新技術的發(fā)展，吉致電子鋁合金拋光液已經(jīng)有成熟的技術支持，可以實現(xiàn)對CMP拋磨材料極高精度、近乎無缺陷的超精密平面化加工。CMP可以真正使鋁合金襯底實現(xiàn)全局平面化，得到近似完美的表面和極低的表面粗超度，且大大提高了生產(chǎn)率，降低了生產(chǎn)成本。鋁合金工件加工的表面均勻一致性好、近乎無表面損

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