吉致電子碳化硅CMP研磨液采用多組分協(xié)同作用的設計理念，實現(xiàn)了材料去除率與表面質量的完美平衡。產品經(jīng)過嚴格的質量控制和實際產線驗證，具有以下核心優(yōu)勢：

1. 高效化學-機械協(xié)同拋光機制

吉致電子碳化硅研磨液/拋光液的獨特之處在于其雙重作用機制：高錳酸鉀(KMnO4)作為強氧化劑，在拋光過程中將碳化硅表面氧化生成較軟的SiO2層，這一氧化層硬度顯著低于碳化硅基底，隨后被氧化鋁磨料高效機械去除。通過調節(jié)pH值(通常控制在10-11之間)，實現(xiàn)了氧化速率與機械去除的最佳匹配，既保證了高材料去除率，又避免了過度腐蝕導致的表面缺陷。

2. 多級拋光工藝系統(tǒng)集成

• 針對碳化硅襯底加工的不同階段要求，吉致電子開發(fā)了完整的四級拋光系統(tǒng)，為客戶提供端到端的解決方案

• 粗磨階段：吉致電子粗磨液JZ-8003，配合研磨墊JZ-1020，快速去除大部分加工余量，拋光速率可達25-30μm/h，表面粗糙度1.22nm。

• 精磨階段：吉致電子精磨液JZ-8001，研磨墊JZ-1020，平衡去除效率與表面質量，拋光速率達6.8μm/h，表面粗糙度0.45nm。

• 粗拋階段：采用小粒徑氧化鋁與高錳酸鉀組合的粗拋液JZ-8010，配合拋光墊JZ-2020（替代SUBA800拋光墊），拋光速率約2.5μm/h，表面粗糙度Ra0.13nm。

• 精拋階段：使用納米SiO2氧化硅精拋液吉致電子JZ-8020，配合軟質精拋墊JZ-326（Politex拋光墊FUJIBO拋光墊替代），實現(xiàn)原子級表面平整度，拋光速率約0.25μm/hRa<0.06nm。

這種漸進式拋光策略可根據(jù)客戶具體需求靈活調整，以滿足半導體行業(yè)高精度加工要求。

3. 國產化創(chuàng)新與成本優(yōu)勢

作為國內CMP耗材供應商及生產廠家，吉致電子通過經(jīng)驗累計和自主創(chuàng)新，實現(xiàn)了碳化硅拋光液/拋光墊的國產化替代。相比進口產品，我們的優(yōu)勢體現(xiàn)在：

• 價格優(yōu)勢：本土化生產節(jié)省了關稅和物流成本，產品價格比同類進口品牌低20-30%。

• 快速響應：國內生產基地真實工廠，確保供貨周期縮短50%以上，緊急需求可實現(xiàn)72小時內交付。

• 定制服務：可根據(jù)客戶工藝參數(shù)和設備特性，調整研磨液粒徑分布、pH值和氧化劑濃度等指標，提供專屬配方優(yōu)化。

• 技術支持：配備專業(yè)應用工程師團隊，從工藝調試到量產爬坡提供全程技術支持，幫助客戶縮短產品上市時間。

吉致電子碳化硅CMP研磨液已通過多家主流半導體制造商的驗證，在4H-SiC和6H-SiC等多種晶型上表現(xiàn)出優(yōu)異的工藝穩(wěn)定性和重復性，良率可達95%以上。

無錫吉致電子科技有限公司

http://simplybyfaithhousing.com

聯(lián)系電話：17706168670