吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

吉致電子碳化硅CMP研磨液：助力SiC半導(dǎo)體制造升級(jí)

吉致電子碳化硅CMP研磨液采用多組分協(xié)同作用的設(shè)計(jì)理念，結(jié)合氧化鋁磨料的高效機(jī)械作用與高錳酸鉀的精密化學(xué)氧化，實(shí)現(xiàn)了材料去除率與表面質(zhì)量的完美平衡。產(chǎn)品經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制和實(shí)際產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證，具有以下核心優(yōu)勢(shì)：1. 高效化學(xué)-機(jī)械協(xié)同拋光機(jī)制吉致電子CMP研磨液的獨(dú)特之處在于其雙重作用機(jī)制：高錳酸鉀(KMnO4)作為強(qiáng)氧化劑，在拋光過(guò)程中將碳化硅表面氧化生成較軟的SiO2層，這一氧化層硬度顯著低于碳化硅基底，隨后被氧化鋁磨料高效機(jī)械去除。通過(guò)調(diào)節(jié)pH值(通?？刂圃?0-11之間)，實(shí)現(xiàn)了氧化速率與機(jī)械去除的最佳匹配，既保

查看詳情>>

吉致電子：以創(chuàng)新CMP拋光液技術(shù)賦能碳化硅襯底新時(shí)代

隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車(chē)、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域掀起技術(shù)革命。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底：高端應(yīng)用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導(dǎo)熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號(hào)傳輸效率。這些高端應(yīng)用對(duì)襯底表面質(zhì)量提出嚴(yán)苛要

查看詳情>>

吉致電子無(wú)蠟吸附墊革新晶圓制造工藝：零殘留·高平坦·更穩(wěn)定

在半導(dǎo)體晶圓拋光領(lǐng)域傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝存在效率低、良率受限等痛點(diǎn)，而半導(dǎo)體真空吸附墊Template技術(shù)的創(chuàng)新和使用正在推動(dòng)行業(yè)變革。吉致電子通過(guò)定制化半導(dǎo)體晶圓拋光的CMP（化學(xué)機(jī)械平坦化）無(wú)蠟吸附墊、真空吸附板設(shè)計(jì)，可為半導(dǎo)體領(lǐng)域客戶(hù)提升生產(chǎn)效率。吉致電子真空吸附墊/CMP拋光模版通過(guò)「無(wú)蠟革命」，為硅片、晶圓、SiC、藍(lán)寶石襯底、光學(xué)玻璃等材料提供高精度拋光解決方案。傳統(tǒng)蠟粘工藝的核心痛點(diǎn)效率瓶頸蠟?zāi)Ｐ杓訜?冷卻固化，單次裝夾耗時(shí)30分鐘以上，影響產(chǎn)能。殘留蠟清洗工序復(fù)雜，增加非生產(chǎn)

查看詳情>>

化學(xué)機(jī)械CMPAl2O3氧化鋁精拋液

吉致電子氧化鋁精拋液（CMP Slurry）采用高純度分級(jí)氧化鋁微粉為原料，經(jīng)特殊表面改性工藝處理，通過(guò)科學(xué)配方精密配制而成。具有以下顯著優(yōu)勢(shì)：適用于化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝CMP場(chǎng)景---鋁合金、不銹鋼、鎢鋼、鑄鐵件等金屬材質(zhì);以及藍(lán)寶石、碳化硅襯底、光學(xué)玻璃、精密陶瓷基板等半導(dǎo)體襯底材料的精密拋光加工。氧化鋁精拋液性能優(yōu)勢(shì)突出：獨(dú)特的抗結(jié)晶配方，確保拋光過(guò)程穩(wěn)定對(duì)拋光設(shè)備無(wú)腐蝕，維護(hù)簡(jiǎn)便殘留物易清洗，提高生產(chǎn)效率氧化鋁精拋液效果卓越：創(chuàng)新的化學(xué)機(jī)械協(xié)同作用機(jī)制，顯著提升拋光效率優(yōu)化的表面處理工藝，確保拋光面質(zhì)量達(dá)到

查看詳情>>

從襯底到外延片：半導(dǎo)體材料的層級(jí)關(guān)系與作用

半導(dǎo)體襯底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半導(dǎo)體制造中的兩種關(guān)鍵材料，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在定義、結(jié)構(gòu)、用途和制備工藝上：1. 定義與作用襯底（Substrate）是半導(dǎo)體器件的“基礎(chǔ)載體”，通常為單晶圓片（如硅、碳化硅、藍(lán)寶石等），提供機(jī)械支撐和晶體結(jié)構(gòu)模板。功能：確保后續(xù)外延生長(zhǎng)或器件加工的晶體結(jié)構(gòu)一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在襯底表面通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)（如氣相外延、分子束外延）沉積的一層單晶薄膜。功能：優(yōu)化電學(xué)性能（如純度、摻雜濃度）

查看詳情>>

CMP阻尼布拋光墊：多材料精密拋光的解決方案

阻尼布拋光墊/精拋墊是CMP工藝中材料納米級(jí)精度的關(guān)鍵保障：在半導(dǎo)體化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的最后精拋階段，阻尼布拋光墊（CMP精拋墊）扮演著決定晶圓最終表面質(zhì)量的關(guān)鍵角色。這種特殊絲絨狀材料的CMP拋光墊，質(zhì)地細(xì)膩、柔軟，表面多孔呈彈性，使用周期長(zhǎng)。阻尼布拋光墊可對(duì)碳化硅襯底、精密陶瓷、砷化鎵、磷化銦、玻璃硬盤(pán)、光學(xué)玻璃、金屬制品、藍(lán)寶石襯底等材質(zhì)或工件進(jìn)行精密終道拋光，在去除納米級(jí)材料的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)原子級(jí)表面平整度，是先進(jìn)制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精拋階段的特殊挑戰(zhàn)與需求與粗拋或中拋階段不同，精拋工藝面臨

查看詳情>>

吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析

鎢CMP拋光液：半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學(xué)機(jī)械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程中鎢互連層全局平坦化的專(zhuān)用功能性材料，通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度（Ra＜0.5nm），滿(mǎn)足高密度集成電路（IC）對(duì)互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機(jī)理3. 關(guān)鍵性能指標(biāo)去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點(diǎn)）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇

查看詳情>>

【國(guó)產(chǎn)替代新選擇】吉致電子IC1000級(jí)拋光墊——打破壟斷，助力中國(guó)“芯”制造！

半導(dǎo)體CMP工藝中,拋光墊是關(guān)鍵耗材，但進(jìn)口品牌長(zhǎng)期占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)。吉致電子作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料供應(yīng)商，成功研發(fā)生產(chǎn)高性能?chē)?guó)產(chǎn)替代IC1000級(jí)拋光墊，以穩(wěn)定、耐用、均勻性好的獲得客戶(hù)好評(píng)及推薦，為芯片制造企業(yè)提供更優(yōu)成本與穩(wěn)定供應(yīng)！為什么選擇吉致電子IC1000拋光墊？①媲美國(guó)際大牌——采用高精度聚氨酯材質(zhì)與微孔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，拋光均勻性、去除率對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品，滿(mǎn)足銅、鎢、硅等材料的CMP工藝需求。②成本優(yōu)勢(shì)顯著——國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)，減少供應(yīng)鏈依賴(lài)，價(jià)格更具競(jìng)爭(zhēng)力，降低企業(yè)綜合

查看詳情>>

吉致電子：高穩(wěn)定聚氨酯拋光墊定制專(zhuān)家

吉致電子聚氨酯拋光墊選用優(yōu)質(zhì)基礎(chǔ)材質(zhì)，歷經(jīng)多道復(fù)雜且精密的工藝打造。聚氨酯拋光墊具備卓越的高彈性、高耐磨性、高平坦度以及高穩(wěn)定性等特性，專(zhuān)為金屬、光學(xué)玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體芯片等對(duì)表面精度要求極高的精密部件拋光作業(yè)量身定制，能夠充分應(yīng)對(duì)并滿(mǎn)足嚴(yán)苛的工業(yè)級(jí)拋光需求。吉致電子聚氨酯拋光墊的核心優(yōu)勢(shì)①聚氨酯高效拋光性能氧化鈰拋光墊：其工作原理基于氧化鈰微粒與被加工材料表面的化學(xué)機(jī)械作用，可顯著提升材料去除速率，在對(duì)材料去除率有較高要求的場(chǎng)景中，能極大地縮短拋光時(shí)間，提升整體生產(chǎn)效率。氧化鋯拋光墊：氧化鋯材料憑借其獨(dú)特的微觀結(jié)

查看詳情>>

芯片拋光液（CMP Slurry）：半導(dǎo)體平坦化的核心驅(qū)動(dòng)力

在半導(dǎo)體制造的精密世界里，納米級(jí)別的表面平整度宛如一把精準(zhǔn)的標(biāo)尺，直接主宰著芯片的性能與良率?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學(xué)與機(jī)械的協(xié)同之力，達(dá)成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無(wú)疑是這一工藝得以順暢運(yùn)行的 “血液”，發(fā)揮著無(wú)可替代的關(guān)鍵作用。吉致電子，作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術(shù)奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢(shì)。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過(guò)程中，拋光液肩負(fù)著至關(guān)重要的雙重功能：化學(xué)腐蝕其所含的活性

查看詳情>>

金剛石研磨液在CMP工藝中的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)

化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、陶瓷、硬質(zhì)合金及精密制造行業(yè)的關(guān)鍵工藝，用于實(shí)現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對(duì)藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）、硬質(zhì)合金等高硬度材料的加工需求，傳統(tǒng)研磨液難以滿(mǎn)足高精度、低損傷的要求，因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿(mǎn)足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性，通過(guò)精準(zhǔn)調(diào)控化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)（Chemo-Mechanical Synergy）實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)表面。1. 金剛石CMP研

查看詳情>>

陶瓷基板CMP工藝：無(wú)蠟吸附墊技術(shù)解析與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

在半導(dǎo)體、LED、功率電子等領(lǐng)域，陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性和機(jī)械強(qiáng)度被廣泛應(yīng)用?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）是陶瓷基板表面精密加工的關(guān)鍵工藝，而傳統(tǒng)的蠟粘接固定方式存在污染、效率低、平整度受限等問(wèn)題。無(wú)蠟吸附墊技術(shù)作為新一代CMP固定方案，憑借其高精度、環(huán)保性和成本優(yōu)勢(shì)，正逐步成為行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。無(wú)蠟吸附墊技術(shù)原理無(wú)蠟吸附墊通過(guò)非接觸式固定技術(shù)取代傳統(tǒng)蠟粘接，主要采用以下兩種方式：一、真空吸附技術(shù)①采用多孔陶瓷或聚合物材料，通過(guò)真空負(fù)壓均勻吸附基板②適用于各類(lèi)硬脆材料（如Al?O?、AlN、SiC等）③可調(diào)節(jié)吸附力，

查看詳情>>

半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關(guān)鍵材料，廣泛應(yīng)用于化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中。它通過(guò)獨(dú)特的機(jī)械研磨與化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的方式，幫助實(shí)現(xiàn)晶圓表面的納米級(jí)平坦化，為高性能半導(dǎo)體器件的制造提供了重要保障。什么是半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry？ 半導(dǎo)體Slurry是一種由研磨顆粒、化學(xué)添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中

查看詳情>>

CMP化學(xué)機(jī)械工藝中金剛石研磨液的關(guān)鍵特性剖析

在現(xiàn)代先進(jìn)制造領(lǐng)域，CMP 化工學(xué)機(jī)械工藝作為實(shí)現(xiàn)材料表面高精度加工的核心技術(shù)，發(fā)揮著舉足輕重的作用。該工藝融合了化學(xué)作用與機(jī)械磨削，能夠在原子尺度上對(duì)材料表面進(jìn)行精確修整，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)元件、精密模具等眾多高端產(chǎn)業(yè)。而在 CMP 工藝的復(fù)雜體系中，金剛石拋光液堪稱(chēng)其中的關(guān)鍵要素，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎最終的拋光質(zhì)量與加工效率。用于 CMP 化工學(xué)機(jī)械工藝的金剛石拋光液，其粒徑大小通常在 10 - 150nm 之間。該拋光液具有以下特點(diǎn)：高硬度與強(qiáng)切削力，金剛石是自然界硬度最高的物質(zhì)，具有出色的切削能力。在 C

查看詳情>>

CMP拋光液：從第一代到第三代半導(dǎo)體材料的精密拋光利器

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導(dǎo)體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、抗輻射能力強(qiáng)、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能

查看詳情>>

精密制造新標(biāo)桿：吉致電子藍(lán)寶石研磨液技術(shù)解析

藍(lán)寶石研磨液Sapphire Slurry，也稱(chēng)為藍(lán)寶石拋光液，是專(zhuān)為藍(lán)寶石材料精密加工而設(shè)計(jì)的高性能拋光液。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、光學(xué)窗口、藍(lán)寶石晶圓（Wafer）的減薄和拋光工藝，能夠滿(mǎn)足高平坦度、高表面質(zhì)量的加工需求。吉致電子藍(lán)寶石拋光液由高純度磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)精心配制而成，具有以下顯著優(yōu)勢(shì)：1.高穩(wěn)定性：懸浮體系穩(wěn)定，不易沉降或結(jié)晶，確保拋光過(guò)程的一致性；2.高效拋光：拋光速度快，顯著提升加工效率；3.精密加工：采用納米SiO2粒子作為磨料，可在高效研磨的同時(shí)避免對(duì)工件表面造成物理?yè)p傷

查看詳情>>

突破技術(shù)壁壘：國(guó)產(chǎn)拋光墊替代Suba800的崛起之路

國(guó)產(chǎn)替代Suba800拋光墊（CMP Pad）的產(chǎn)品在近年來(lái)取得了顯著的技術(shù)進(jìn)步，逐漸在半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)上占據(jù)一席之地。以下是Suba拋光墊國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)：一、Suba拋光墊國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)1.成本優(yōu)勢(shì)?國(guó)產(chǎn)CMP拋光墊的價(jià)格通常比進(jìn)口產(chǎn)品低，能夠顯著降低生產(chǎn)成本，尤其適合對(duì)成本敏感的企業(yè)。?減少了進(jìn)口關(guān)稅和物流費(fèi)用，進(jìn)一步降低了采購(gòu)成本。2.供應(yīng)鏈穩(wěn)定?國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)避免了國(guó)際供應(yīng)鏈的不確定性（如貿(mào)易摩擦、物流延遲等），供貨周期更短，響應(yīng)速度更快。?國(guó)內(nèi)廠商通常能提供更靈活的CMP拋光耗材訂單服務(wù)，支持

查看詳情>>

CMP拋光液:精密光學(xué)鏡頭制造的幕后英雄

CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）技術(shù)在光學(xué)制造領(lǐng)域確實(shí)扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在高精度光學(xué)元件的加工中。CMP拋光液通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超平滑處理，滿(mǎn)足現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)對(duì)表面粗糙度和形狀精度的嚴(yán)苛要求。 吉致電子光學(xué)玻璃CMP Slurry的應(yīng)用領(lǐng)域：①精密光學(xué)鏡頭：在手機(jī)攝像頭、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等光學(xué)系統(tǒng)中，通過(guò)CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學(xué)鏡頭元件在光線(xiàn)折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學(xué)窗口：航空航天光學(xué)窗口面臨復(fù)雜空間環(huán)

查看詳情>>

無(wú)蠟吸附墊：精密制造的卓越之選

無(wú)蠟吸附墊的設(shè)計(jì)充分考慮了不同行業(yè)、不同工藝的實(shí)際需求，具有高度的通用性和靈活性。提高吸附穩(wěn)定性，還能起到良好的排屑作用，防止加工過(guò)程中產(chǎn)生的碎屑堆積在吸附墊表面，影響加工精度和吸附效果。 以下是吉致電子無(wú)蠟吸附墊的介紹：組合式無(wú)蠟拋光吸附墊 結(jié)構(gòu)：包括基布、吸附結(jié)構(gòu)和粘貼結(jié)構(gòu)。吸附結(jié)構(gòu)由聚氨酯吸附層和環(huán)形氣腔組成，聚氨酯吸附層粘貼在基布上，環(huán)形氣腔設(shè)置在聚氨酯吸附層上，起到吸附固定且揭開(kāi)時(shí)減少吸附力的作用；粘貼結(jié)構(gòu)包括無(wú)殘留雙面膠和離型紙，無(wú)殘留雙面膠粘貼在基布上，離型紙粘貼在無(wú)殘留雙面膠上 。 優(yōu)點(diǎn)：

查看詳情>>

吉致電子：SIC碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案

SiC CMP拋光液是一種用于對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的關(guān)鍵材料，通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達(dá)到超光滑、無(wú)缺陷損傷的狀態(tài)，滿(mǎn)足外延應(yīng)用等對(duì)襯底表面質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對(duì)碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時(shí)調(diào)整化學(xué)試劑的種類(lèi)和濃度，增強(qiáng)

查看詳情>>