吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝？

  碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。  第三代半導(dǎo)體，由于在物理結(jié)構(gòu)上具有能級禁帶寬的特點，又稱為寬禁帶半導(dǎo)體，主要是以氮化鎵和碳化硅為代表，其在半導(dǎo)體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區(qū)別，使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，從而能夠開發(fā)出更適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限。  化學(xué)

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碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些？

  襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料，起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用。有數(shù)據(jù)顯示，襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%，外延片占25%，器件晶圓制造環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。  SiC碳化硅襯底不止貴生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與Si硅片相比，SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過程包括單晶多線切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿足外延生長的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質(zhì)，不僅具有高硬度的特點，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產(chǎn)生較為嚴重的表

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氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光

  氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光，需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來研磨快速去除表面缺陷和不良，精細拋光液用來平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專用研磨液/拋光液能減少研磨時間，同時提高陶瓷工件拋光的質(zhì)量，幫助客戶縮短工時提高工作效率。 陶瓷基板的研磨過程一般包括雙面研磨（35-60分鐘）和精細拋光（120分鐘）。在不到2.5小時的時間里，得到10-15納米的Ra。 氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案：①雙面研磨（35-60分鐘）搭配吉致電子類多晶研磨液 ②超精細拋

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吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液

  吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類。  吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高，金剛石粒徑均勻，懸浮液分散充分。其特點是不結(jié)晶、不團聚，磨削力強，拋光效果好。可以滿足高硬度材料、精密的微小元器件、高質(zhì)量表面要求的材料拋光需求。  金剛石拋光液采用優(yōu)質(zhì)金剛石微粉，結(jié)合吉致專利配方工藝，調(diào)配的CMP專用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實際使用中工件研磨速率穩(wěn)定，材料去除率高

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吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議“優(yōu)秀組織獎”

  2023年11月8日-10日第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議(APCSCRM 2023)在北京圓滿落幕。本次會議聚焦寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題，邀請全球60余位知名專家學(xué)者、龍頭企業(yè)、資本機構(gòu)蒞臨會議現(xiàn)場，通過大會報告、專場報告、高峰論壇、口頭報告、項目路演和墻報等形式，分享全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)最新研究進展，交換產(chǎn)業(yè)前瞻性觀點，展示企業(yè)先進成果，促進行業(yè)互聯(lián)互通。    吉致電子科技有限公司出席了此次會議，并在會議期間設(shè)有展臺。吉致電子的代表們與全球各地的專家

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吉致電子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割過程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度，研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據(jù)粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層，研磨液中會使用粒徑較大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層，改善表面光潔度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后續(xù)的精細拋光，因此使用粒徑較細的磨粒研磨晶片。  為獲

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吉致電子手機中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理

手機中框、智能穿戴設(shè)備表面處理，有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產(chǎn)品專用拋光液及拋光耗材，速率快效果好。手機中框?qū)τ阽R面拋光要求非常高，需要達到鏡面效果，鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對較硬的材質(zhì)手機中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達到一個高亮面的效果，其效果可達到：1.懸浮性好，不易沉淀；2.顆粒分散均勻，不團聚，軟硬度適中，有效避免拋光過程中由于顆粒團聚導(dǎo)致 的工件表面劃傷缺陷。3.運用拋光過程中的化學(xué)新作用，提高拋光速度，改善拋光表面的質(zhì)量。4.分散性好、乳液均一，程度提升拋光速率的同時降低微

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藍寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍寶石襯底？需要搭配什么拋光液？藍寶石拋光萬能公式：粗拋、中拋、精拋，每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD：①藍寶石CMP粗磨：藍寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強的吉致金剛石研磨液，搭配金剛石磨盤，速率高效果好可有效去除藍寶石表面的不平和劃痕。②藍寶石CMP中拋：這一步可以用銅盤+小粒徑的金剛石研磨液，用來去除粗拋留下的紋路，為鏡面拋光做前期準備。③藍寶石CMP精拋：CMP精拋是藍寶石襯底最后一道工序，需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來收光，呈現(xiàn)平坦無暇的鏡面效果。 

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半導(dǎo)體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中

  國內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動了半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化進程。在政策、資金以及市場需求的帶動下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動上游材料需求增長。先進制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國產(chǎn)替代進行中。  CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用

  化學(xué)機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注

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TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢：可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液

 藍寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍寶石視窗、高精度質(zhì)量藍寶石視窗是為各種光學(xué)、機械和電子應(yīng)用提供了強度、耐磨性、化學(xué)惰性適用于光學(xué)和激光應(yīng)用，這些藍寶石窗口設(shè)計用于關(guān)鍵的光學(xué)和激光應(yīng)用。藍寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝，藍寶石研磨液適合用于大批量藍寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成，具有懸浮性好，不易結(jié)晶，易清洗等特點。用于藍寶石工件的鏡面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，無劃傷，表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍寶石窗口CMP拋光研磨液，性能穩(wěn)

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些？

  Oxide slurry 簡稱OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光，拋光研磨后達到精準的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導(dǎo)體拋光液性能優(yōu)點：①使用純度高的納米拋光磨料，擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗無殘留，對后續(xù)工藝影響小。 

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半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機械平坦化工藝，應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過程，而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點，通過拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學(xué)機械作用，在保證材料去除效率的同時，得到準確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實現(xiàn)納米級甚至原子級的表面粗糙度，同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點及應(yīng)用

吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點：（1）磨料類型多樣化，包含單晶、多晶、類多晶及納米級金剛石等；（2）金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金剛石研磨液粘度可調(diào)整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應(yīng)用領(lǐng)域：1、拋光液CMP半導(dǎo)體晶片加工：藍寶石、碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體晶片;2、拋光液陶瓷加工：氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工：不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進口slurry，CMP拋光液粒度規(guī)

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研磨液廠家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化學(xué)機械平面工藝中的研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二鋁（Al2O3）、 氧化鈰（CeO2）,金剛石（單晶、多晶）等。  通俗來講，芯片制造就像蓋高樓，一層一層往上疊加，要想樓不塌，在制造下一層前必須確保本層的平坦度，這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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銅化學(xué)機械拋光液---什么是TSV技術(shù)？

銅機械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢：TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

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拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？

  CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？  CMP拋光液越來越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來了更多的增長機會。  目前，第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力

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CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液

  果粉們時常被MacBook，Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到，那么蘋果手機和筆記本上的金屬Logo是如何實現(xiàn)鏡面工藝的呢？

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SIT Slurry平坦化流程與方法

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護有源區(qū)在去掉氮化硅時免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅硬的掩模材料，有助于保護STI氧化硅淀積過程中保護有源區(qū)；在化學(xué)機械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體

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